深圳市恒佳盛电子有限公司

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20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ
特点
 专有的**平面技术
 高密度超低电阻设计
 大功率、大电流应用
 理想的锂电池应用
 封装形式：TSSOP-8/SOT-23-6



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